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竹科園區三、五路五座十二吋晶圓廠興建案之相關公共工程用地，於昨（十一）日舉行聯合動土典禮，其中台積電預計該區初期投資約五十億美元，用於設置三十二奈米以下高階製程的研發晶圓廠，至於力晶方面，則預計將投資二千五百億台幣興建二座五○奈米、月產能合計十二萬片的DRAM生產基地。
竹科園區三、五路五座十二吋晶圓廠興建案之相關公共工程用地，於昨（十一）日舉行聯合動土典禮，其中台積電預計該區初期投資約五十億美元，用於設置三十二奈米以下高階製程的研發晶圓廠，至於力晶方面，則預計將投資二千五百億台幣興建二座五○奈米、月產能合計十二萬片的DRAM生產基地。
台積電董事長張忠謀表示，公司目前雖有十多座晶圓廠，分布在竹科跟南科，但以研發晶圓廠的定位來說，過去六年的研發基地主要是目前竹科的十二廠一、二期，主要投入九○奈米、六五奈米及四五奈米三個世代的研發，但考量未來六年，會有三二奈米、二二奈米與十五奈米的研發需求，台積電需要再蓋新的研發晶圓廠。
張忠謀也指出，台積電先前雖有考慮要將新的研發晶圓廠設在中科，但考量往來需要兩個小時，而新研發晶圓廠又必須與竹科既有的一千五百位研發工程師在一起，因此最後決定還是要落腳在竹科，遂於四年前便向竹科爭取相關用地，而其實這兩座新十二吋廠已經在去年第四季就搶先動工，初期投資金額約五十億美元，。
至於力晶董事長黃崇仁則表示，力晶預計在此區域興建二座十二吋廠，基於新廠競爭力考量，加上五○奈米投資龐大，因此確定改變原先要將這兩座廠定位為NAND生產基地的想法，二座新廠中，至少第一座會用在生產五○奈米DRAM。
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